MP6750 MÓDULO TOSHIBA GTR IGBT DE CANAL N DE SILICIO ZIP-11

Información sobre el producto

– Máxima potencia disipada: 55 W
– Tensión máxima colector-emisor: 600 V
– Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
– Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
– Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
– Temperatura máxima de unión: 150 ℃
– Tiempo de subida, typ: 300 nS
Paquete / Cubierta: MODULE