BSM75GD120DN2 MÓDULO INFINEON TECHNOLOGIES IGBT 75A / 1200V. 520W. CHASSIS MOUNT

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Información sobre el producto

Producto:	IGBT Silicon Modules
Configuración:	Full Bridge
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	2.5 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	103 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	320 nA
Dp – Disipación de potencia :	520 W
Paquete / Cubierta:	EconoPACK 3A
Temperatura de trabajo mínima:	– 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C