BSM50GD120DN2E3226 MÓDULO INFINEON TECHNOLOGIES IGBT 1200V 50A 350W. CHASSIS MOUNT

Categorías: Módulos

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Información sobre el producto

Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	2.5 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	72 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	200 nA
Dp – Disipación de potencia :	350 W
Paquete / Cubierta:	EconoPACK 2
Temperatura de trabajo mínima:	– 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
Altura:	17 mm
Longitud:	107.5 mm
Máximo voltaje puerta-emisor:	20 V